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Si离子注入后B在退火过程中析出模型的研究
中文名称: Si离子注入后B在退火过程中析出模型的研究
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论文编号: 3514323收藏本论文】【我的收藏】【我要投稿
英文名称: 无英文名称
学位类型: 硕士毕业论文
作者: 涉及隐私,隐去***  作者本人请参看权力声明>>
导师: 涉及隐私,隐去***
毕业学校: 涉及隐私,隐去***
专业: 微电子学与固体电子学
毕业年份: 涉及隐私,隐去***
关键字: 离子注入 Rp 缺陷 退火 析出 束缚能 集成电路 Rp缺陷
简介目录: 点击此处 免费索取本论文简介和目录>>
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论文简介:  随着大规模集成电路的迅速发展,器件的横向和纵向尺寸不断缩小。在集成电路制造过程中,p-n结一般是离子注入来实现的。用退火工艺来修复离子注入对半导体材料造成的损伤时,会造成杂质在退火初期的异常扩散现象,造成结深加宽。   本文在研究缺陷影响杂质分布的基础上,建立了缺陷的演化模型和硼到Rp缺陷的析出模型,研究了硼原子的析出机理,解释了退火过程中出现的低于固溶度的非活性硼峰,并得到了一组能够使模拟与实验结果较好吻合的拟和参数。该模型简单且所有参数均可测量得到,为超浅结工艺模拟提供了一个新方法。
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