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Si_3N_4陶瓷二次PTLP连接过程与机理研究
中文名称: Si_3N_4陶瓷二次PTLP连接过程与机理研究
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论文编号: 3121713收藏本论文】【我的收藏】【我要投稿
英文名称: Study on the Processing and Mechanics in Double Partial Transient Liquid Phase Bonding of Si_3N_4
学位类型: 博士毕业论文
作者: 涉及隐私,隐去***  作者本人请参看权力声明>>
导师: 涉及隐私,隐去***
毕业学校: 涉及隐私,隐去***
专业: 材料科学与工程
毕业年份: 涉及隐私,隐去***
关键字: Si_3N_4陶瓷 PLP连接 界面结构 连接强度
简介目录: 点击此处 免费索取本论文简介和目录>>
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论文摘要: 本文通过实验系统研究了Si_3N_4/Ti/Cu/Ti/Si_3N_4 PTLP(Partial Transient Liquid Phase)连接和Si_3N_4/T(略)i/Cu/Ti/Si_3N_4二次PTLP连接(略)工艺参数等对Si_3N_4陶瓷连接接头界面微观结构、反应层厚度、元素分布、室温强度的影响,探明了二次PTLP连接接头高温强度随温度变化的规律,并对PTLP连接过程动力学进行了研究,建立了Si_3N_4陶瓷PTLP连接数值模型和PTLP连接参数优化选择模型.论文主要结论如下: 采用Ti/Cu/Ti中间层对Si_3N_4陶(略)P连接,界面微观结构为:Si_3N_4/TiN/Ti(略)/Cu-Ti/Cu,随着Ti箔厚度的增加,反应层厚度增加,Cu-Ti层增宽;Ti箔厚度达到一定值后,随Ti箔厚度增加,TiN层增厚,同时Ti-Si化合物层亦逐步增厚.在相同连接参数下,Ti箔过薄不能形成连续的反应层导致连接强度极低;Ti箔(略)性反应层增厚,使连接强度亦降低;采用Ti箔厚度为10μm、Cu箔厚度为250μm,在1050℃、保温3h的试验条件下获得Si...
Partial transient liquid-phase (PTLP) bonding as well as double PTLP bonding of Si_3N_4 ceramic (omitted)ed out in (omitted)t work by using Ti/Cu/Ti multi-interlayers and Ti/Cu/Ni/Cu/Ti multi-interlayer(omitted)ively. The effects of interlayer thickness and bonding parameters on interfacial microstructure, reaction layer growing and el(omitted)ribution as well as the joint strength have been systematically investigated. In add(omitted)etics of PTLP bonding process has also been studied. Based on the ex...
目录:
第1章 绪论第12-27页
  ·选题背景和研究意义第12-13页
  ·陶瓷/陶瓷、陶瓷/金属连接技术研究现状及进展第13-16页
  ·Si_3N_4陶瓷连接技术研究现状及进展第16-20页
    ·活性金属钎焊法第16-18页
    ·玻璃相连接剂连接第18页
    ·扩散连接技术第18-19页
    ·PTLP连接第19-20页
  ·陶瓷扩散连接数值模拟研究进展第20-25页
    ·元素扩散及反应层形成的数值模拟第20-22页
    ·接头变形与应力行为的模拟第22-24页
    ·TLP扩散连接数值模拟研究存在的问题第24-25页
  ·本论文的研究内容和研究目标第25-27页
第2章 试验材料和方法第27-32页
  ·试验材料第27页
  ·真空连接设备第27-28页
  ·PTLP连接工艺第28-29页
  ·微观分析第29页
  ·接头强度检测和断口分析第29-32页
第3章 PTLP连接界面结构及连接强度第32-41页
  ·PTLP连接中间层选择的基本准则第32-34页
  ·Ti箔厚度对 Si_3N_4PTLP连接的影响第34-37页
    ·界面结构第34页
    ·反应层厚度第34-35页
    ·连接强度第35-37页
  ·连接接头断裂分析第37-38页
  ·Si_3N_4陶瓷PTLP连接过程分析第38-40页
  ·本章小结第40-41页
第4章 PTLP连接动力学研究第41-51页
  ·引言第41页
  ·界面微观形貌和元素分析第41-45页
  ·界面反应层生长动力学第45-47页
  ·界面等温凝固动力学第47-48页
  ·PTLP连接参数选择模型第48-50页
  ·本章小结第50-51页
第5章 二次 PTLP连接界面结构及强度第51-60页
  ·二次PTLP连接Si_3N_4陶瓷中间层设计第51-52页
  ·Ti箔厚度对连接强度的影响第52-53页
  ·二次PTLP连接工艺对连接强度的影响第53-55页
  ·高温连接强度随温度的变化规律第55-56页
  ·界面微观结构第56-58页
  ·界面结构形成机理和界面反应第58页
  ·本章小结第58-60页
第6章 Si_3N_4陶瓷二次 PTLP连接模型第60-68页
  ·引言第60页
  ·二次PTLP连接过程模型第60-65页
  ·二次PTLP连接模型的应用第65-66页
  ·本章小结第66-68页
第7章 Si_3N_4陶瓷 PTLP连接的数值模拟第68-78页
  ·引言第68页
  ·界面元素分布第68-73页
    ·陶瓷 PTLP连接元素扩散的特点第68-69页
    ·扩散模型的建立第69-71页
    ·计算与实验验证第71-73页
  ·接头应力分布第73-76页
    ·接头应力分析数学模型第74-76页
    ·计算结果及分析第76页
  ·本章小结第76-78页
第8章 结论第78-80页
致谢第80-81页
参考文献第81-87页
攻读博士学位期间发表论文第87页
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