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Si(111)和GaAs(001)衬底上生长六方GaN的微结构及B+注入Si形成位错的透射电子显微学研究

中文名称：	Si(111)和GaAs(001)衬底上生长六方GaN的微结构及B+注入Si形成位错的透射电子显微学研究
论文编号：	2883654
英文名称：	无英文名称
学位类型：	博士毕业论文
作者：	涉及隐私，隐去***　　作者本人请参看权力声明>>
导师：	涉及隐私，隐去***
毕业学校：	涉及隐私，隐去***
专业：	凝聚态物理
毕业年份：	涉及隐私，隐去***
关键字：	微结构
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