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薄膜技术论文
Ⅲ族氮化物半导体薄膜场发射性能研究
中文名称：
Ⅲ族氮化物半导体薄膜场发射性能研究
全文提供：
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论文编号：
2859342
英文名称：
Field Emission Characteristics of Ⅲ-Nitride Semiconductor Films
学位类型：
博士毕业论文
作者：
涉及隐私，隐去***
作者本人请参看权力声明>>
导师：
涉及隐私，隐去***
毕业学校：
涉及隐私，隐去***
专业：
材料学
毕业年份：
涉及隐私，隐去***
关键字：
氮化物
半导体
半导体薄膜
薄膜
场发射
III族氮化物半导体
氮化硼
氮化铝
带弯曲
纳米场增强
简介和目录：
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Ⅲ族氮化物半导体薄膜场发射性能研究
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