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RHEED原位监测的PEMOCVD方法及GaN基薄膜低温生长

中文名称: RHEED原位监测的PEMOCVD方法及GaN基薄膜低温生长
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论文编号: 2859279
英文名称: PEMOCVD Method with RHEED in Situ Monitoring and Low Temperature Growth of GaN Based Films
学位类型: 博士毕业论文
作者: 涉及隐私,隐去***  作者本人请参看权力声明>>
导师: 涉及隐私,隐去***
毕业学校: 涉及隐私,隐去***
专业: 材料学
毕业年份: 涉及隐私,隐去***
关键字: 薄膜 低温 PEMOCVD 反射高能电子衍射 氮化镓 氮化铝 等离子体 电子回旋共振 低温生长 原位监测
简介和目录: 点击此处 免费索取本论文简介和目录>>
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RHEED原位监测的PEMOCVD方法及GaN基薄膜低温生长 相关:
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