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碳化硅(6H-SiC)器件的研究
中文名称: 碳化硅(6H-SiC)器件的研究
论文编号: 2639499收藏本论文】【我的收藏
英文名称: 无英文名称
学位类型: 博士毕业论文
作者: 涉及隐私,隐去***  作者本人请参看权力声明>>
导师: 涉及隐私,隐去***
毕业学校: 涉及隐私,隐去***
专业: 微电子学与固体电子学
毕业年份: 涉及隐私,隐去***
关键字: 碳化硅
全文提供: 本论文应版权问题不能提供全文。但有其他80万收费硕士博士论文可提供下载 联系购买>>收藏本论文】【我的收藏
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