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SiC、GaN半导体纳米材料及阵列的合成、性能与机理研究
中文名称: SiC、GaN半导体纳米材料及阵列的合成、性能与机理研究
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论文编号: 2639342收藏本论文】【我的收藏
英文名称: Synthesis, Property and Mechanism of SiC and GaN Semiconductor Nanomaterials and Their Array
学位类型: 博士毕业论文
作者: 涉及隐私,隐去***  作者本人请参看权力声明>>
导师: 涉及隐私,隐去***
毕业学校: 涉及隐私,隐去***
专业: 材料学
毕业年份: 涉及隐私,隐去***
关键字: 半导体 纳米 纳米材料 材料 机理 准一维纳米材料 宽带隙半导体 显微结构 生长机理 光学特性
简介和目录: 点击此处 免费索取本论文简介和目录>>
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