| 中文名称： |
硅台垂直双栅器件结构和特性研究 |
| 论文编号： |
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| 英文名称： |
Technology and characteristics research of silicon mesa vertical double gate MOSFET |
| 学位类型： |
博士毕业论文 |
| 作者： |
涉及隐私，隐去*** 作者本人请参看权力声明>> |
| 导师： |
涉及隐私，隐去*** |
| 毕业学校： |
涉及隐私，隐去*** |
| 专业： |
微电子学与固体电子学  |
| 毕业年份： |
涉及隐私，隐去*** |
| 关键字： |
垂直 |
| 全文提供： |
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