 氮化镓一维纳米材料及薄膜的制备与表征 |
中文摘要:
氮化镓(GaN)是一种优良的直接宽带隙Ⅲ-V族化合物半导体材料,是当前世界上最先进的半导体材料之一。室温下氮化镓的禁带宽度为3.39eV,具有高熔点、高临界击穿电场和高饱和漂移速度等优点....
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| 典型Ⅲ族氮化物半导体材料第一性原理研究 |
中文摘要:
借助计算机,通过理论计算、数值模拟对材料的结构和性质进行预测与设计,以最大限度地减少因盲目或错误实验造成的浪费,是当今材料研究领域的一个方兴未艾的领域。运用局域密度泛函理论可将多电子系统....
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| Si基溅射Nb/Ga_2O_3氨化制备GaN纳米材料的研究 |
中文摘要:
由于纳米半导体材料表现出的超出常规的性质,因此各种半导体材料的纳米结构成了人们研究的热点。纳米线、纳米带和纳米棒作为新颖的低维材料越来越多引起了人们的研究兴趣。这些低维纳米材料之所以吸引....
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| 硅基钒应变层制备氮化镓及氧化镓一维纳米结构的研究 |
中文摘要:
随着现代科学技术的发展,人们要求材料具有更优越的物理性能,且器件的尺寸越来越微型化,这些都促使现代凝聚态物理和材料科学的研究在低维材料方面产生了极大的兴趣。低维材料的研究目的主要有三个方....
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| 用于GaN材料制备的HVPE外延系统反应室模拟 |
中文摘要:
结合863，973任务本课题组自行设计的一套专门用于厚膜GaN材料生长的水平式双温区HVPE系统。为了优化反应室的结构，本论文利用计算流体动力学模型对GaCl、NH_3和载气N_2在反应....
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| GaN基金属—铁电体—半导体场效应晶体管关键技术研究 |
中文摘要:
GaN基MISFET是极有应用前景的半导体器件，在其目前的研究中，多采用传
统的介质材料，如二氧化硅、氮化硅等。这些材料的介电常数比较低，使得GaN
基MISFET器件的工作电压....
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| 氮化镓外延膜红外椭圆偏振光谱的研究 |
中文摘要:
GaN和Ⅲ族氮化物材料是近年来光电子领域的研究热点,GaN材料生长方面有了重大突破,而在基于GaN材料的高功率LED、脉冲连续LD以及盲阳紫外探测器方面都取得了显著成绩。GaN材料折射率....
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| 纤锌矿GaN载流子输运的蒙特卡罗模拟 |
中文摘要:
GaN是一种宽带隙材料,它具有高电子迁移率、高热导等优异的物理性质,近来受到人们的广泛关注。大量研究致力于GaN在高温电子器件,紫外光电探测器,和蓝光电致发光器件中的应用。GaN是所有的....
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| 硅基镁催化氮化镓一维纳米结构的制备及其显微特性的研究 |
中文摘要:
随着现代科学技术的发展,人们要求材料具有更优越的物理性能,且器件的尺寸越来越微型化,这些都促使现代凝聚态物理和材料科学的研究在低维材料方面产生了极大的兴趣。低维材料的研究目的主要有三个方....
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| AlGaN/GaN HEMT电流崩塌机理研究 |
中文摘要:
AlGaN/GaN HEMT的高频大功率应用在很大程度上受制于电流崩塌效应。本文以所制得HEMT样品为研究对象,在分析其异质结特性的基础上,对电流崩塌效应机理作了探索性研究。
首....
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| GaN和ZnO半导体化合物的合成与表征 |
中文摘要:
半导体纳米材料所具有的各种量子效应和其独特的性质，使其在未来的各种光、电、机械等功能器件中有着广阔的应用前景。用半导体材料制成的纳米线和碳纳米管等一维纳米材料因其具有独特的光学、电学性能....
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| GaN的刻蚀、P型欧姆接触以及LED的研究 |
中文摘要:
GaN材料及器件近年来成为研究的热点，尤其是GaN发光二极管(LED)。这主要是因为GaN蓝绿光LED产品的出现从根本上解决了白光发光二极管三基色缺色的问题。GaN蓝、绿光LED具有体积....
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| Al_xGa_（1-x）N/GaN调谐分布布拉格反射镜与单环有源的双环耦合硅基微环共振腔的研究 |
中文摘要:
本文的主要工作是对两种新型半导体器件结构的设计、计算模拟和分析。这两种器件分别是应用于GaN基发光二极管(Light emitting diode,LED)的AlxGa1-xN/GaN调....
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| GaN基光导器件的光电导研究及紫外薄膜材料均匀性测试系统 |
中文摘要:
氮化镓基材料是一种直接宽带隙半导体材料，具有优异的物理和化学性质，是制备高温、高功率、高频电子器件以及发光二极管、激光二极管和光电探测器等光电子器件的重要材料。
本文着....
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| GaN材料P型掺杂机理及方法的研究 |
中文摘要:
由于具有优越的特性，GaN材料以及基于GaN材料的各种器件在近十年中得到了系统和深入的研究。但是现在仍然面临着许多的问题，特别是GaN材料的p型掺杂技术始终没有很好的解决。本论文正是在这....
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| 纤锌矿n-GaN的补偿度及迁移率模型 |
中文摘要:
Chin等人以载流子浓度和补偿度为参量，运用变分原理从理论上计算得到了室温电子迁移率的变化图线，他们的研究成果，被大量文献引用来评估GaN材料的补偿度。然而，根据他们的图象比对得到的补偿....
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