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 钨和氧化钨准一维微/纳米结构的低温气相合成及其生长机理研究 | 中文摘要:
自上世纪五十年代开始,微米晶须材料,因为具有独特的准一维结构和极其优异的力学性能,而成为材料学界的一个经久不衰的研究热点。目前,晶须已经发展成为各种新型复合材料的主要补强增韧材料之一,而....
| | 计算机模拟研究水和铜纳米线的结构与性质 | 中文摘要:
冰拥有13种晶体结构和至少3种非晶结构。其在生命领域的重要意义,被许多科学家在很多重要科学杂志中广泛讨论。然而,他们的结构,电子结构,非晶转变以及压力对结构和性质的影响仍然没有被清晰地描....
| | 一维SiC纳米线的合成与表征 | 中文摘要:
本篇论文使用直流电弧等离子体的方法,合成出了β-SiC纳米线,并对在实验过程中合成的硅纳米棒,碳纳米管,β-SiC纳米线等做了XRD, SEM, TEM, XPS,能谱等分析手段作了表征....
| | 直流电弧法制备硅铁化合物及表征 | 中文摘要:
本论文采用六面顶压机技术,对铁硅混合粉进行压块。采用直流电弧法在氩气条件下直接电离铁硅块制备出Fe_3Si纳米粉、ε-FeSi纳米粉、Si和α-FeSi_2纳米粉,并且得到了ε-FeSi....
| | 热氧化法制备氧化（亚）铜薄膜的微观结构及性能 | 中文摘要:
本文通过改变传统的化学镀铜溶液成分和工艺条件,向镀液中添加表面活性剂十二烷基苯磺酸钠(SDBS),在玻璃表面制备了具有良好性能的化学镀铜膜。微观结构分析表明铜膜中存在明显的(111)织构....
| | 氮化铟一维纳/微米结构的可控制备和表征 | 中文摘要:
在Ⅲ族氮化物半导体中,InN具有优异的电子输运性质,在高频厘米和毫米波器件应用上具有独特的优势,这些特性引起人们对InN的极大兴趣。同时,近两年来的研究表明InN的带隙宽度大约在0.7e....
| | ZnO纳米结构形态调控与表面光电性能研究 | 中文摘要:
氧化锌(ZnO)是一种重要的宽禁带半导体功能材料,室温下能带带隙为3.37eV,激子束缚能高达60 meV,远高于其它宽禁带半导体材料(如:GaN为25 meV,ZnSe为22 meV)....
| | 有机发光二极管（OLED）及其他层状纳米结构的发光性质与设计研究 | 中文摘要:
基于纳米结构的光子辐射器件在先进显示、照明、成像、生物标记追踪、环境监控和超高分辨率近场显微等众多领域都有很好的应用,因而成为当前光电子领域研究的重要课题之一。在本论文中,我们详细研究各....
| | APCVD法硅化钛薄膜和硅化钛纳米线的研究 | 中文摘要:
随着纳米科技的发展和微电子装置的小型化，以纳米线为基块来制备纳米电子和光电子器件引起了广泛注意。由于硅化钛已在微电子器件中获得了广泛应用，所以，硅化钛纳米线在微电子领域有着广阔的应用前景....
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